英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再获荣誉荣获极光奖两项大奖

  奖项。与此一起，凭仗其在碳化硅技能范畴的继续立异打破及产品功用的明显提高，英飞凌被颁发

  此外，作为功率半导体职业的领导者，英飞凌继续致力于碳化硅技能的改造与开展，推进商场向更高功率等级与更高能效水平跨进。英飞凌最新一代CoolSiC MOSFET Generation2技能，在出产的根本工艺、技能参数及功用体现上相较于第一代产品有了明显的提高。

  最新推出的CoolSiC MOSFET Generation2 TO247-4封装产品，以单个单管7毫欧的Rdson导通电阻创业界新低，一起坚持2微秒短路承当承受的才能的杰出体现，抢先业界。CoolSiC MOSFET Generation2的最大作业结温直接提高至200摄氏度，相较于第一代产品，这一提高尤为明显，然后使其愈加适配于电动轿车直流快速充电站、牵引逆变器、太阳能逆变器等高效能使用场景。Generation2系列碳化硅产品的推出，进一步体现了英飞凌致力于经过供给高效率产品来促进节能减排、加快低碳化进程的坚决许诺。

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