来源：国际利来老牌最给力 发布时间：2025-01-02 03:56:29 人气：1 次
金融界 2024 年 11 月 27 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“碳化硅沟槽栅 MOSFET 器材及其制作办法”的专利，授权公告号 CN 118073423 B，请求日期为 2024 年 4 月。
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