绿能芯创获专利JBS碳化硅二级管或提升电力电子可靠性

  近日，北京绿能芯创电子科技有限公司获得了一项重要专利，名称为“用于增强可靠性的JBS碳化硅二级管器件结构及制造方法”，专利公告号为CN113658922B。此次专利的获批不仅标志着国内在碳化硅领域的技术进步，更为未来高效智能电力电子科技类产品的开发奠定了基础。

  据悉，此项专利的申请时间为2021年9月，经过数年的技术攻关与研发，绿能芯创在集成碳化硅二级管（SiC MOSFET）技术方面取得了显著进展。这一新型器件具有极高的抗击毁性和热稳定性，是电力电子及电动汽车领域的重要核心组件。相较于传统硅基器件，碳化硅二级管能够在更高的电压和温度条件下工作，极大地提升了能量转换的效率，符合当前绿色能源转型的要求。

  随着全球对节能减排的愈发重视，碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其可承受更大的电压和高温环境，受到了广大科研机构和企业的青睐。与传统的硅材料相比，碳化硅器件在高频、低散热、优异的开关特性方面具备明显优势。尤其是在电动汽车、可再次生产的能源以及高功率率直流转换领域，碳化硅技术的应用前景可期。

  绿能芯创此次专利的重点是其提出的JBS（Junction Barrier Schottky）结构，这种新颖的结构设计可以在确保高电流工作上的能力的同时，明显提升器件的可靠性和稳定能力。通过优化器件的制造工艺，降低了在高频操作下的开关损耗，进而提高了整个电力系统的性能，尤其是在电动汽车的充电桩和逆变器等应用中，表现得尤为突出。

  在电动车辆中，碳化硅二级管可以有实际效果的减少能量损耗，提高行驶效率，最大限度地延长电池常规使用的寿命。对于普通消费者而言，这在某种程度上预示着更长的行驶里程和更省心的充电体验，促进了电动交通工具的普及和发展。

  随着碳中和目标的提出，全世界内对清洁能源解决方案的需求日益增加，绿色电力电子技术的潜力也随之增长。专家预计，到2030年，全球碳化硅市场规模将达到数十亿美元。绿能芯创的这项新专利，将为国内外高性能电力电子器件的推出提供技术上的支持，助力相关产业链的建设。

  此外，伴随人工智能技术的迅猛发展，碳化硅二级管在智能电网以及可再次生产的能源系统中，将发挥不可或缺的作用。未来，通过智能算法与碳化硅器件的结合，可以在一定程度上完成对电能高效分配与利用，构建更加智能化、环保的电力生态。

  绿能芯创的最新专利是中国在碳化硅技术领域中的一项重要里程碑，标志着国内电力电子技术向更高效、更环保的方向发展。伴随着这些新技术的推广与应用，我们也应关注有关技术在社会经济发展中可能带来的变革，尤其是对电动汽车市场与绿色能源的深远影响。

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