国际利来老牌最给力提供各种规格硅碳棒/热电偶保护管
全国咨询热线:

山西第三代半导体技术创新中心请求一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法专利提高了芯片的反向击穿电压

来源:国际利来老牌最给力    发布时间:2025-01-19 15:58:33 人气:1 次

  金融界2024年12月25日音讯,国家知识产权局信息数据显现,山西第三代半导体技术创新中心有限公司请求一项名为“一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法”的专利,公开号 CN 119170657 A,请求日期为2024年11月。

  专利摘要显现,本发明公开了一种新式沟槽碳化硅芯片结构及制备办法,详细触及半导体技术领域,包含从下而上顺次设置的反面加厚金属、欧姆触摸金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层。本发明提出的深度突变的沟槽型场限环结构能够在不添加终端面积的情况下,经过改动场限环的深度,改动电场散布,提高了终端对外表电场的抑制作用,提高了芯片的反向击穿电压,且本发明提出的办法不会添加制作工序,对器材制作本钱添加较小。

  特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包含在内)为自媒体渠道“网易号”用户上传并发布,本渠道仅供给信息存储服务。

  四川挖出一具遗骸,脚带7公斤铁链,脚踝钉着4颗铆钉,经考证,他是失踪40多年的……

  农民山泉创始人钟睒睒连发3条朋友圈炮轰四大电子商务渠道:经济的绞肉机,中小经营户的周扒皮!很多就业机会被渠道猎夺走

  4-1!英超黑马11场不败 超曼城升第6 完结纽卡9连胜 名宿之子戴帽

  洛图科技:2024 年全球显现器出货量 1.27 亿台同比上涨 1.5%

  等候装备 OLED 显现屏的 MacBook Air 的时刻或许比预期的要长